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Intel et Micron : première puce en 25 nm

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Écrit par Pascal Thevenier   
Mardi, 02 Février 2010 14:03
Intel et Micron ont présenté la première puce de mémoire NAND gravée en 25 nm. Ce processus de gravure est actuellement le plus fin jamais utilisé pour la production de composants électroniques. Fabriquée par IM Flash Technologies (IMFT), coentreprise fondée par Intel et Micron, la puce de 8 Go a une surface d'à peine 167 mm² et passe à travers le trou central d'un DVD-ROM. Une belle performance sachant qu'un DVD double couche permet de stocker 8,5 Go de données !

Actuellement au stade des échantillons, la production des puces de 25 nm de 8 Go devrait passer à la production en série au deuxième trimestre 2010. Elle assurera le niveau de densité le plus élevé du marché pour des puces multiniveaux (MLC) à 2 bits par cellule au format standard TSOP (Thin Small-Outline Package). Presque tous les 18 mois, Intel et Micron ont réussi à doubler la capacité de stockage par puce. Via IMTF, ils ont également fait évoluer la finesse de gravure de 50 nm en 2006 à 34 nm en 2006 pour atteindre 25 nm cette année... L'arrivé massive de puce de 8 Go en 32 nm devrait avoir un impact très significatif sur le coût des SSD notamment ceux de 256 Go.