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Intel : NAND 3D en 2015

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Écrit par Pascal Thevenier   
Lundi, 24 Novembre 2014 11:14
Dans le cadre de sa joint-venture avec Micron (IMFT), Intel travaille sur des puces de NAND en 3D comparables à celles déjà produite et utilisée par Samsung. Alors que ce dernier atteint 86 Gbits avec ses V-NAND MLC en 40 nm, le géant de Santa Clara annonce 256 Gbits en MLC, soit 2x plus que les dies classiques en 2D. Cette densité est obtenue via 32 couches empilées. Aucune information n'a cependant été donnée à propos de la technologie de gravure utilisée. D'après Rob Crooke d'Intel, cette avancée permettra de stocker 1 To dans seulement 2 mm de hauteur et de proposer des SSD offrant des capacités de plus de 10 To ! Mais certainement à condition d'y mettre le prix...


Samsung ne devrait pas se reposer sur ses lauriers et sa seconde génération de V-NAND est prévue pour la seconde moitié de 2015. Par contre, Hynix et SanDisk/Toshiba ne devraient pas proposer ce type de mémoire avant 2016.